Innovative DRAM / KOOLDRAM

Innovative DRAM / KOOLDRAM

KOOLDRAM®

KOOLDRAM is the best-fit for automotive or KGDM (high-temperature applications)

 

DRAM先天由於電容的特性會發生漏電現象,可能導致資料的遺失,而這樣的情況在高溫環境下尤其嚴重,也因此DRAM需要透過定期地刷新(Refresh)來確保資料完整性,此刷新的周期也會隨著溫度的增加必須變得更短,在頻繁的刷新操作下將會造成DRAM資料存取的效能損失(Efficiency Loss)。

 

鈺創的KOOLDRAM®產品,可在符合JEDEC標準介面下大幅延長DRAM資料所需的刷新周期,特別對於高溫應用領域、如車用或KGDM等使用環境,尤其能明顯感受到整體DRAM效能的提升。

 

整體而言,當應用溫度低於85°C時,KOOLDRAM®比起傳統DRAM減少了近半的資料存取效能損失,而在更高溫及更大容量的需求下,KOOLDRAM®相對於傳統DRAM所帶來的資料存取效能改善更加明顯。舉例來說,在溫度介於105°C到125°C的環境中,同樣是8Gb容量的規格,KOOLDRAM®的資料存取效能損失僅有6%,但傳統DRAM的資料存取效能損失高達35.8%,顯見KOOLDRAM®確實能有效地、大幅度地提升DRAM整體的資料存取效能。

 

KOOLDRAM: lower efficiency loss of during data accesses

特色
  • 鈺創首創長效資料保存(Long Retention Time;LRT)技術
  • 符合JEDEC標準介面
  • 全世界最長的資料刷新時間周期(tREF)
  • 創新電路設計
  • 高溫環境下整體資料存取效能明顯提升
  • 更穩固的資料存儲能力
  • 高溫應用領域、如車用或KGDM等使用環境之最佳選擇
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