Innovative DRAM / LRTDRAM

LRTDRAM^TM

DRAM先天由于电容的特性会发生漏电现象，可能导致资料的遗失，而这样的情况在高温环境下尤其严重，也因此DRAM需要透过定期地刷新(Refresh)来确保资料完整性，此刷新的周期也会随著温度的增加必须变得更短，在频繁的刷新操作下将会造成DRAM资料存取的效能损失(Efficiency Loss)。

钰创的LRTDRAM^TM产品，可在符合JEDEC标准介面下大幅延长DRAM资料所需的刷新周期，特别对于高温应用领域、如车用或KGDM等使用环境，尤其能明显感受到整体DRAM效能的提升。

整体而言，当应用温度低于85°C时，LRTDRAM比起传统DRAM减少了近半的资料存取效能损失，而在更高温及更大容量的需求下，LRTDRAM相对于传统DRAM所带来的资料存取效能改善更加明显。举例来说，在温度介于105°C到125°C的环境中，同样是4Gb容量的规格，LRTDRAM的资料存取效能损失仅有4.4%，但传统DRAM的资料存取效能损失高达26.6%，显见LRTDRAM确实能有效地、大幅度地提升DRAM整体的资料存取效能。