Innovative DRAM / KOOLDRAM

Innovative DRAM / KOOLDRAM

KOOLDRAM®

KOOLDRAM is the best-fit for automotive or KGDM (high-temperature applications)

 

DRAM先天由于电容的特性会发生漏电现象,可能导致资料的遗失,而这样的情况在高温环境下尤其严重,也因此DRAM需要透过定期地刷新(Refresh)来确保资料完整性,此刷新的周期也会随著温度的增加必须变得更短,在频繁的刷新操作下将会造成DRAM资料存取的效能损失(Efficiency Loss)。

 

钰创的KOOLDRAM®产品,可在符合JEDEC标准介面下大幅延长DRAM资料所需的刷新周期,特别对于高温应用领域、如车用或KGDM等使用环境,尤其能明显感受到整体DRAM效能的提升。

 

整体而言,当应用温度低于85°C时,KOOLDRAM®比起传统DRAM减少了近半的资料存取效能损失,而在更高温及更大容量的需求下,KOOLDRAM®相对于传统DRAM所带来的资料存取效能改善更加明显。举例来说,在温度介于105°C到125°C的环境中,同样是8Gb容量的规格,KOOLDRAM®的资料存取效能损失仅有6%,但传统DRAM的资料存取效能损失高达35.8%,显见KOOLDRAM®确实能有效地、大幅度地提升DRAM整体的资料存取效能。

 

KOOLDRAM: lower efficiency loss of during data accesses

特色
  • 钰创首创长效资料保存(Long Retention Time;LRT)技术
  • 符合JEDEC标准介面
  • 全世界最长的资料刷新时间周期(tREF)
  • 创新电路设计
  • 高温环境下整体资料存取效能明显提升
  • 更稳固的资料存储能力
  • 高温应用领域、如车用或KGDM等使用环境之最佳选择
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