Innovative DRAM / LRTDRAM

LRTDRAM^TM

DRAM先天由於電容的特性會發生漏電現象，可能導致資料的遺失，而這樣的情況在高溫環境下尤其嚴重，也因此DRAM需要透過定期地刷新(Refresh)來確保資料完整性，此刷新的周期也會隨著溫度的增加必須變得更短，在頻繁的刷新操作下將會造成DRAM資料存取的效能損失(Efficiency Loss)。

鈺創的LRTDRAM^TM產品，可在符合JEDEC標準介面下大幅延長DRAM資料所需的刷新周期，特別對於高溫應用領域、如車用或KGDM等使用環境，尤其能明顯感受到整體DRAM效能的提升。

整體而言，當應用溫度低於85°C時，LRTDRAM比起傳統DRAM減少了近半的資料存取效能損失，而在更高溫及更大容量的需求下，LRTDRAM相對於傳統DRAM所帶來的資料存取效能改善更加明顯。舉例來說，在溫度介於105°C到125°C的環境中，同樣是4Gb容量的規格，LRTDRAM的資料存取效能損失僅有4.4%，但傳統DRAM的資料存取效能損失高達26.6%，顯見LRTDRAM確實能有效地、大幅度地提升DRAM整體的資料存取效能。