Memory ICs

Known Good Die

应用导向缓冲存储器KGD裸晶

 

Living KGDM解决方案– 「Heterogeneous Integration」理论与实践,其不同于SOC将逻辑、记忆、类比、射频、高压等功能整合於单一系统晶片做法,而是使用不同种类之逻辑晶粒、存储晶粒、模拟晶粒、射频晶粒及闪存晶粒,透过2.5D/3D堆叠完成异质性垂直整合。

 

应系统级封装 (SIP) 和多晶片封装 (MCP)需求而生之高品质Known Good Die 解决方案。凭借最早开发KGDM 技术及多年经验,Etron 一直是全球许多领先半导体和系统客户之重要合作伙伴。在大批量制造 (HVM) 能力、高质量产品及对客户满意度的坚定承诺方面素来拥有良好记录,使钰创之KGDM产品在许多竞争厂商中脱颖而出。

 

缓冲存储器在电子产品中扮演著日益重要角色。应用导向缓冲存储器KGD可减少消费性电子系统成本、缩小体积,达成低功耗及创造高速资料传输效能,同时降低电磁干扰(EMI)。在体验经济世代下,应用导向缓冲存储器KGD裸晶 (特别是应用在2D/2.5D/3D SIP)可让新一代电子产品效能大幅提升,带给消费者全新使用体验。

特色
  • 新颖的电路设计
  • 高品质和可靠性
  • 严格的晶圆级老化测试
  • 成本效益和可靠性之间的最佳平衡
  • 小尺寸
  • 高整合度
  • 定制服务
产品组合
产品线 Density
SDRAM 16Mb ~ 256Mb
DDR SDRAM 16Mb ~ 512Mb
DDR2 SDRAM 128Mb ~ 1Gb
DDR3 SDRAM 512Mb ~ 2Gb
LPDDR2 SDRAM 256Mb