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Known Good Die
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Living KGDM解决方案– 「Heterogeneous Integration」理论与实践,其不同于SOC将逻辑、记忆、类比、射频、高压等功能整合於单一系统晶片做法,而是使用不同种类之逻辑晶粒、存储晶粒、模拟晶粒、射频晶粒及闪存晶粒,透过2.5D/3D堆叠完成异质性垂直整合。
应系统级封装 (SIP) 和多晶片封装 (MCP)需求而生之高品质Known Good Die 解决方案。凭借最早开发KGDM 技术及多年经验,Etron 一直是全球许多领先半导体和系统客户之重要合作伙伴。在大批量制造 (HVM) 能力、高质量产品及对客户满意度的坚定承诺方面素来拥有良好记录,使钰创之KGDM产品在许多竞争厂商中脱颖而出。
缓冲存储器在电子产品中扮演著日益重要角色。应用导向缓冲存储器KGD可减少消费性电子系统成本、缩小体积,达成低功耗及创造高速资料传输效能,同时降低电磁干扰(EMI)。在体验经济世代下,应用导向缓冲存储器KGD裸晶 (特别是应用在2D/2.5D/3D SIP)可让新一代电子产品效能大幅提升,带给消费者全新使用体验。
产品线 | Density |
---|---|
SDRAM | 16Mb ~ 256Mb |
DDR SDRAM | 16Mb ~ 512Mb |
DDR2 SDRAM | 128Mb ~ 1Gb |
DDR3 SDRAM | 512Mb ~ 4Gb |
LPDDR2 SDRAM | 256Mb ~ 4Gb |
LPDDR4/4X SDRAM | 2Gb ~ 4Gb |