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A Second-Path Moore’s Law Scaling (2PMLS) Below 10nm to Optimize PPACT- Part I: Inventions on Outside-Gate Structures for Fin/GAA-Transistors and 6T SRAM Cells with Modeling Results
《A Second-Path Moore’s Law Scaling (2PMLS) Below 10nm to Optimize PPACT – Part I》。本篇聚焦於10奈米以下節點的創新途徑，深入探討FinFET與GAA晶體管結構的外閘技術（Outside-Gate Structures），以及6T SRAM單元的設計優化。
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Challenges to Symbiotic Growth of Semiconductor & AI Industries: A 2nd-Path Moore’s Law Scaling for Deep, Broad, and Exponential Intelligence Economics
DRC是一個透過動手設計、團隊合作與問題解決來促進創新的平台。它鼓勵跨部門協作與實作學習，推動具實質價值的研發成果。
同體異質整合加乘 (Monolithic and Heterogeneous Integration, MHI™)
- 將矽和非矽之材料與元件的同體異質整合最佳化
- 創造由奈米矽核心與AI技術支援的Self-Smart微系統
SUSTAINABILITY
企業永續
鈺創科技股份有限公司全體管理層認知到遵守責任商業聯盟(RBA)是一個負責任的企業應具備的基本條件及致力努力的方向，企業除營利之餘，也應該取之於社會、用之於社會，並發揮對利害關係人的影響，包括員工、客戶、供應商、股東、公眾和政府等利益相關者的期望。
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公司營運
南亞科技與鈺創科技共同合資成立AI記憶體設計服務公司 開發客製化超高頻寬記憶體
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技術文章
KGD 是什麼？認識KGD定義、功能與應用實例
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影片活動
鈺創科技 RPC DRAM正式通過AEC-Q100 Grade-2車規級可靠度測試標準並成功進入國際領導品牌車廠的供應鏈 MemorAiLink記憶體IP平台在記憶體頻寬效能、次系統整體運算功耗及異質整合封裝技術的革新，有助於生成式AI擴展至邊緣端應用 高品質與高可靠度使鈺創成為 DRAM 產品長期穩定的供應商，支援AI 邊緣端應用逐步落地
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關於鈺創於1991年2月成立於新竹科學園區，率先投入VLSI記憶體開發工作，承攬國家級「次微米計劃」設計工程， 開發 8 吋晶圓次微米技術，為台灣 DRAM、SRAM產業之蓬勃發展奠定深厚基礎。