微電子科技產品設計約從 1990 年代初期，開始由成熟的混合微電路技術，轉型至多晶片模組 （MCMs），以因應市場上日益提升的效能需求，以及體積輕巧便攜的消費電子產品趨勢。
如今異質整合晶片當道，為降低功耗、壓縮體積，並改善效能，半導體先進封裝技術走向量產，連帶使 KGD 解決方案獲得更高的討論聲量。透過本篇文章，讓我們一起了解究竟何謂 KGD Die？又為什麼在半導體發展的必然趨勢之下，KGD 得以扮演產業創新要角？
KGD 的英文全名是「Known Good Die」，著手探究其定義與應用之前，讓我們先了解晶圓 （wafer）、晶粒 （die）、晶片 （chip） 三者的分別：
晶圓是一種圓形矽晶片，也是生產積體電路所用的載體，可加工製成各種電路元件結構、具特定電性功能的集成電路產品，而連結這些電晶體的基板就是「矽」；一片 wafer 可切割成數量不等的Die。
晶圓上的每個獨立小塊，都是一個晶圓顆粒體，切割後就成爲一個晶粒 （die）。晶粒的外形通常為長方形或正方形，尺寸大小依不同功能需求、不同設計、不同製程而有所不同。
晶圓經過切割、測試，再將完好且穩定的晶粒取下、封裝，便成為一般人熟悉的晶片 （chip），也就是積體電路 （IC）。積體電路發明後，技術也開始高速發展，最早期一個晶片只能塞進五個電晶體，發展到現代，可容納數量已達數億個電晶體。
中文將 Known Good Die 翻譯為「良品裸晶粒」，在業界常與 KGD Dram、KGD Die 等名詞交互使用。
KGD 的完整定義是指：經過重重檢測，已確認具有與封裝後產品同等之質量水準、可靠程度，並符合指定功能、規格標準的裸晶粒或未經封裝的晶片。半導體廠商採用 KGD 顆粒後，再與自家產品封裝成單一晶片，進行最終測試，最後出貨給需要的業者。
KGD 與一般電晶體最大的不同點在於，KGD 屬於未封裝的裸晶粒，故能因應系統級封裝 （SiP）、多晶片封裝 （MCP） 需求，與其他種類的裸晶堆疊使用，進行異質性整合；意即在同一封裝中將晶片做 3D 立體堆疊，或者進行 2.5D 配置封裝，將邏輯晶片、記憶體、射頻元件等不同性質的電子零件整合，實現系統級之高效能、低功耗、高集成度，同時維持成品的精巧體積。
Area Array Interconnection Handbook 一書中比較了 KGD 應用如何影響不同等級之 MCM 封裝，並歸納出兩項原則：
Source: Bertin, Claude & Su, Lo-Soun & Horn, Jody. （2001）. Known Good Die （KGD）. 10.1007/978-1-4615-1389-6_4.
數位轉型浪潮下，物聯網 （IoT）、大數據和 AI 等新興科技，走向商業化應用，連帶推動半導體產業出現新一輪成長，晶片產品之創新需求強勁，程度更是前所未見。然而不可否認的是，傳統摩爾定律 （Moore’s Law） 的 2D 製程微縮腳步正在趨緩。
從過往單純的尺寸微縮，走向整合不同種類晶片的「More than Moore」， 晶圓製程微縮與先進封裝的高階需求，正催動更豐富的 KGD 產品應用，除了既有的筆電、平板電腦等行動裝置、消費電子產品、數位視訊轉換盒、數位相機、智慧穿戴裝置等，未來在衛星定位、5G 通訊、智慧工廠、車用電子等應用前景同樣令人期待。
面對半導體產業下個十年，晶片發展於精度、速度層面上的新挑戰，由平面走向 3D、同時具備高度晶片整合能力的封裝技術，儼然成為產品差異化關鍵，而 KGD 可以是 IC 產業鏈實現 PPACt（晶片功率、效能、單位面積成本、上市時間）技術藍圖的敲門磚，透過晶片級和系統級的改進與創新，提升長期獲利成長的能力。
針對不同應用需求，目前市場上存在多種 KGD 解決方案，其中 4C 消費型電子業者採用「應用導向緩衝記憶體 KGD」，除了能滿足效能需求，更有機會取得下列幾點產品優勢：
不同於系統單晶片 （SoC） 將處理器、記憶體等多重功能，全數集結封裝至單一系統晶片的做法，「應用導向緩衝記憶體 KGD」透過 2.5D/3D 方式，堆疊不同種類之邏輯晶粒、記憶體晶粒、類比晶粒、射頻晶粒及快閃記憶體晶粒，完成異質性垂直整合。
KGD 是晶片組供應商向客戶提供系統級封裝 （SiP） 時的首選，有助與簡化系統設計並縮小晶片尺寸。鈺創科技從2000年開展KGD記憶體量產，曾獲得英特爾供應商獎等諸多榮譽，迄今出貨量已超過26億顆，所研發的應用導向緩衝記憶體KGD，採用新穎的電路設計，並經過嚴格晶圓級老化測試，在兼顧產品品質的情況下，也能符合製作成本效益，不僅尺寸小可彈性運用，整合度高、應用層面廣的特性，讓電子產品效能大幅提昇，此外，更提供客製化服務，協助您使用高品質的晶片原料，減少成本之餘，更符合時代趨勢，成為廣受消費者、合作對象青睞的科技廠家。
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