發佈日期：2013年2月19日
鈺創科技發表全新USB3.0加速器系列 —
EV2669 USB3.0 快閃記憶碟控制晶片，搭配MLC時，締造全球最快讀取/寫入速率達260/235 Mega Bytes之世界級佳績；
已獲國際客戶採用並在市場上推出「超高速度」著稱之USB3.0快閃記憶碟 !
鈺創科技（Etron Technology, Inc.；上櫃股票代號：5351）發表全新USB3.0加速器(Flash Drive Accelerator，FDA)系列，其中EV2669 USB3.0快閃記憶碟控制晶片搭配MLC (Multi-Level Cell)同步式快閃記憶體(NAND FLASH)時，締造全球最快存取速率之世界級佳績，其讀取/寫入傳輸速率可達每秒260/235 Mega Bytes以上。EV2669單晶片採獨特的二通道快閃記憶體介面，具備先進之72位元之糾錯能力(ECC)可支援多家快閃記憶體大廠於2奈米及1奈米先進製程之MLC/ TLC NAND Flashes；在硬體規格上，EV2669可支援16CE或8CE兩個版本，封裝可採88-pin或64-pin QFN封裝。
鈺創科技之USB3.0加速器產品系列皆透過該公司自有之快閃記憶碟加速器技術(FDA Technology)開發完成，無須外掛驅動程式，即可達到全球最快存取速率之特性。此外，該產品系列支援存取容量最高可達128GB，滿足快閃記憶體儲存客戶之高容量需求；而無須透過多顆IC作整合，而將整個系統整合到單一顆晶片(SoC)內，大符縮短系統廠商導入設計時間，快速在市場上推出「超高速度」著稱之USB3.0快閃記憶碟，以搶佔市場商機，目前該產品已得獲國際客戶的支持與採用。
如須進一步資訊，請上網www.etron.com.tw查詢。
公司發言人：徐初發 協理
代理發言人：蔡婷婷 經理
聯絡電話：
企業溝通部 李欣怡
03-578-2345轉8668
E-mail：pr@etron.com