發佈日期：2018年12月20日
【新聞參考資料】
鈺創發表人工智慧終端裝置的Small Form Factor需求之
新型DRAM–RPC DRAM技術，使系統極小化，
便於應用到生活周遭，加速終端人工智慧普及化！
下一波智慧浪潮席捲，消費性電子產品直指多元功能交互應用之隨身載具，多具備智慧通訊、資料影音即時傳輸等功能，而影音多媒體串流往往由於佔據大量頻寬及存儲成為系統架構瓶頸之一，也是系統設計者面臨的最大的挑戰之一 。
鈺創科技開發了一種新DRAM架構–RPC DRAMTM技術，提供x16 DDR3 – LP DDR3數據頻寬，採僅使用22個開關信號之40引腳FI-WLCSP封裝， 256 Mb DRAM體積為2 x 4.4 mm，所有40個引腳均採用業界標準之400微米錫球間距安裝在周邊，使其成為許多可穿戴之影音物聯網設備的理想存儲器。
鈺創之新型RPC DRAMTM也具備特殊應用(ASIC)記憶體的優點；採鈺創RPC DRAMTM之實體層(Physical Layer，PHY)，可有22個開關信號，而輸出共有40PHY接合墊；比一般相同頻寬之DDR3 PHY，所須的47個開關訊號 (x16 data bus)及達100 PHY接合墊，使用不到一半的接合墊用於特殊應用之記憶體接口。
緩衝記憶體常被用於影音多媒體系統中，以作為視頻的畫面播放速率轉換、顯示緩衝、鏡頭去扭曲及陰影校正、慢動作緩衝等；最常見的需求是存儲一兩個視頻幀（即視頻速率轉換和顯示緩衝），其它如慢動作視頻緩衝則較無硬體限制，這樣情況下，DDR3 DRAM x16 BGA 封裝即可滿足其需求；但卻常遇到穿戴式裝置之物理極限，以眼鏡型的影音傳輸播放系統為例，DDR3所提供數據頻寬已足以作為影像顯示緩衝，但受限於9x13mm BGA封裝之體積，而不易導入至小型AIOT系統架構中。
DDR3記憶體若採用x16規格於96引腳BGA封装，體積大約9 x 13 mm，即使改採0.8 mm間距6列16引腳，或改用256 Mb至8Gb任何容量之晶粒，其最小封装體積維持不變。
不同於BGA封裝，一種先進封裝技術：扇入型晶圓級晶粒尺寸封裝(Fan-In Wafer Level Chip Scale Packaging，簡稱 FI-WLCSP)，先在整片晶圓上進行封裝及測試，然後才切割成單一晶片，無需經過打線及填膠程序，封裝後的晶片尺吋與晶粒幾乎一致；其沒有基板，也沒有引線接合或倒裝晶片等封裝步驟，取而代之的是：沉積的電介質、光定義的導體、接著是電鍍和錫球落下測試，所有程序都在完整的晶圓上處理完成。
因為所有錫球必須適配於半導體晶粒的周邊，所以極不可能會將體積小晶粒用高引腳數封裝；因此，低容量記憶體較不可能採FI-WLCSP封裝，因其球間距太小而無法製造；另一方面，大容量DRAM晶粒可支持可製造的球間距，但因矽尺寸太大而無法承受熱循環應變：矽和PCB具有太大的熱膨脹係數而不匹配。
根據特殊應用之ASIC系統設計，假設的接合墊限制了邊緣粘合晶粒具有240個引腳，每側有60個接合墊，為DDR3接口預留了100個接合墊；採鈺創PRC DRAMTM實體層總共可節省60個(每側少15個)接合墊。比較此兩種記憶體方案，很顯然採用鈺創RPC DRAMTM的ASIC 系統明顯小了56.25％。
鈺創科技新款小型化記憶體—RPC DRAMTM方案將於CES 2019展示，歡迎蒞臨於美國拉斯維加斯會場(Las Vegas Convention Center)南一館No. 21615鈺創展示攤位參觀，如需進一步資料歡迎洽詢www.etron.com。
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