ETRON RPC DRAM®Controller

General Purpose RPC Memory Interface Controller

Etron的RPC DRAM(RPC)控制器是一种通用的内存控制器,可将Lattice ECP5系列的FPGA与Etron 低引脚数的RPC DRAM装置进行接口连接,并为用户应用程序提供通用的命令接口。RPC DRAM是一种高带宽的x16 DDR类型之DRAM,适用于高带宽的应用,像是高解析度的影像缓冲,但仅需要低I/O数(24个切换I/O):与DDR3/LPDDR3提供了相同带宽与类似的高汇流排效率,却减少了将近一半的引脚数。

 

RPC DRAM提供给系统用户一个独特且具有价值的优势为採用晶圆级晶粒封装(WLCSP, 一种扇入型晶圆级晶粒尺寸封装)。x16 RPC WLCSP的PCB面积不到标准型x16 DDR3 DRAM的10%。它除了是最小的Discrete封装,也是首款使用此类封装的DRAM产品。当与Lattice ECP5系列的微型化封装选项配对使用时,使用标准表面贴装PCB技术平台可实现前所未有的系统微型化成本效益。例如,285 csfBGA封装的ECP5与WLCSP封装的RPC DRAM的PCB面积小于单个x16 DDR3 DRAM的面积。

 

透过此控制器就不需要花时间在整合RPC DRAM接口和控制与应用程序其他部分,并能直接处理RPC内存接口。

RPC DRAM 控制器

IP 核心引脚配置生成工具

RPC引脚配置生成工具(RPC Pinout Generation Utility)自动生成用于使用RPC DRAM控制器IP核心的设计的引脚配置和偏好文件。有关此工具的更多资讯,包括下载档案和文件,都可在此处找到。

Features

  • 与符合RPC DRAM标准的Etron Technology RPC DRAM元件进行接口连接
  • 在x8速度等级的设备中,以最高400 MHz / 800 Mbps的速度与RPC DRAM进行接口连接
  • 支援 x16 或其倍数的内存数据路径宽度
  • 支援 x16 RPC DRAM
  • 支援完全的多路交错 (bank interleave) 操作、可同时运行Bank Precharge、Row Activation 及Column Burst Accesses
  • 其流水线流模式(Pipelined streaming mode)支持无限长持续读取/写入之存取,完全支持随机的random column/bank addressing实现高速汇流排传输效率
  • 适用于Lattice ECP5系列装置
  • 与Lattice ECP5 DDR3 DRAM內存控制器相容的引脚配置,便于轻松转换至Etron RPC DRAM

RPC DRAM in WLCSP (Left) vs DDR3 in 96 BGA (Right)

0.8 mm pitch: ECP5 + DDR3 (Left), 0.5 mm pitch ECP5 + RPC (Right)

控制器支援

莱迪思半导体 (Lattice Semiconductor)
莱迪思半导体(NASDAQ: LSCC)是低功耗可程式设计解决方案的领导者。我们致力于解决从边缘到云端涵盖整个网路的客户问题,涉及日益成长的通讯、运算、工业、汽车和消费市场。我们的科技、长期关係和一流的支援承诺,让我们的客户能够快速、轻松地释放创新能力,建构智慧、安全、互连的世界。
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