迎接「体验经济」时代来临，支撑云端运算到数位汇流的半导体产品特别重要，而钰创科技之IC产品实践梦想「三经合流+赞」! 该公司利基型缓冲记忆体产品比拟人类大脑，掌管记忆(Memory)；USB3.0主端产品犹如人体神经，负责传导(Connectivity)；网路摄影IC模拟人类眼睛，提供视觉(Vision)；素有大姆哥之称的快闪记忆碟正从USB2.0进入崭新USB3.0新世代，而钰创最新推出USB3.0装置端控制晶片速度刷新世界纪录，为此方便随身传导3C资讯世代来临，伸出大姆指说「加赞」!
钰创科技董事长暨执行长卢超群博士表示，「体验经济就是打动人心，心动驱使服务，服务定位产品 (“Heart Touching” drives service, service drives products.)，与传统的认知反向思考。半导体产品是IT产业基石，正迈入异质性整合 (Heterogeneous Integration)世代，透过软硬兼施的设计技术，开发与心动经验结合之IC产品，向来是钰创努力的目标；钰创是利基型缓冲记忆体领导厂商，更开发许多先进系统单晶片 (System On Chip，SOC)逻辑IC产品，包括：USB3.0主端控制晶片、USB3.0快闪记忆碟控制晶片、3D影像体感整合网路摄影控制晶片，展现类似人体脑筋、神经、大姆指和眼睛等功能，推动『体验经济』趋势的热门IC产品 !」
钰创自主研发USB3.0技术，开创主端与装置端IC之完整解决方案
目前USB2.0传输规格已相当普及，但受限于传输频宽往往无法尽兴，因此国际推动新一代USB3.0传输规格。钰创科技USB3.0解决方案从主端到装置端陆续推出新产品，透过SoC平台发展双埠及四埠USB3.0主端控制晶片(Host Controller，HC)—EJ168、EJ188及EJ198；而跨足装置端成功开展单通道、双通道的EV166、EV268快闪记忆碟控制晶片，以先进Flash高效能储存技术，结合USB 3.0实体层(PHY) 及控制层(Controller)IP及软体技术优势，透过无缝整合发挥超高速USB3.0之最佳产品效能。
钰创EJ198 USB3.0四埠HC，为PCIe Gen 2至USB3.0之HC，符合PCIe Gen 2及USB3.0规范，支援INTEL正式版的xHCI 1.0介面标准，可确保系统拥有最佳相容性、较低功耗，并展现最优异的性能。由于EJ198拥有两个PCIe Gen2 通道 (PCIe Gen 2x 2 Lanes)，支援每通道5Gbps之传输速率，在全双工传输模式运行下，可提供最高达每秒10Gbps整体传输频宽，大幅领先业界同类型产品。硬体规格上，采用88-pin QFN封装，外部尺寸10 x10mm2。
为兼具速度及成本效益，钰创推出EJ188 USB 3.0四埠HC支援一个PCIe Gen2 通道(PCIe Gen 2 x1 Lane)，即便采一个PCIe Gen2 通道，传输速率亦达每秒传输速率5Gbps，符合USB3.0 5Gbps的理论速度最佳化需求，目前已获得重要厂商导入使用。
EJ168 USB3.0双埠HC，具备全球最快捷之存取速度及最佳相容性，可与市面上各式USB 3.0产品互通，更向下相容于所有USB 2.0装置。EJ168于九十九年资讯月荣获「杰出资讯应用暨产品奖」，去年五月通过国际USB-IF协会之SuperSpeed USB认证，且同年十二月再度获得科学园区管理局颁发一百年度「优良厂商创新产品奖」。该产品已稳定出货给多家主机板大厂，深获客户所青睐，截至去年为止，累计出货量已逾500万颗以上。
跨足USB3.0装置端，推出EV166 USB3.0单通道快闪记忆碟控制晶片，搭配 MLC快闪记忆体可达每秒150 Mega Bytes以上读取传输速率，为目前全球最快速单通道快闪记忆碟控制晶片。值得一提的是，EV166为全球第一颗采 48-pin QFP封装之USB3.0晶片，适用外部尺寸极小14 mm x 28 mm双层PCB板设计，符合轻、薄、短、小需求，可降低制造成本，与USB2.0晶片48-pin QFP封装相同，方便升级使用。
EV268 USB3.0双通道快闪记忆体控制晶片，支援16CE，搭配MLC快闪记忆体时，读取传输速率可达每秒250 Mega Bytes以上的世界级佳绩，目前已获得主要客户导入使用中。值得一提的是，钰创全系列之USB3.0快闪记忆体控制晶片皆具备先进纠错能力(Error Check and Correction, ECC)，支援多家快闪记忆体大厂于3x奈米(nm)、2x奈米及1x奈米制程的SLC/ MLC/ TLC快闪记忆体。
应用导向之缓冲记忆体裸晶(Known-Good-Die，KGD)在SIP应用上，深获4C电子系统设计所重视 !
缓冲记忆体在电子产品中扮演著日益重要角色。应用导向缓冲记忆体KGD可减少4C电子系统成本、缩小体积，达成低功耗及创造高速资料传输效能，同时降低电磁干扰(EMI)。在体验经济世代下，应用导向缓冲记忆体KGD (特别是应用在2.5D/3D SIP)可让新一代电子产品效能大幅提升，带给消费者全新使用体验。
4C电子产品能够稳定地演化进步，乃因半导体工业不断地降低制造成本及提高系统效能。举例而言，晶圆生产尺寸以平均每十年的速度，一路从四吋、五吋、六吋及八吋迈进，到2001年已开展十二吋晶圆；晶片制程亦循摩尔定律发展，每十八个月面积相同晶粒上之电晶体密度增加以使效能加倍及成本减半，时至2011年已进入2x奈米量产；这使得4C电子之关键IC零组件：主逻辑控制晶粒、缓冲记忆体晶粒，可按不同应用规格而分开设计以达优化，透过不同的逻辑代工及记忆体厂分别制造，再个别封装后，焊在电路板上做系统整合，成为4C电子终端产品。
然而，下一世代的晶圆尺寸 (十八吋) 之研发须投入更巨额的财力，基于投资报酬率 (Return On Investment，ROI) 考量，下一世代晶圆进入量产的时程会延后，而现今系统整合采取个别分开封装的逻辑控制器与记忆体，焊在电路板上做整合，也会陷入无法同时满足成本与效能之两难。
钰创科技总经理宋建迈博士表示：「依过去晶圆尺寸发展轨迹，十八吋晶圆厂应于2011年当进入量产，但至今却迟迟未见，乃因搭建一座十八吋晶圆厂的费用及其所投入的研发成本十分可观，这是牵扯到投资报酬率的问题，而不仅是基本技术上的限制。此外，全世界拥有如此深厚财力及技术可进入该领域的公司不多，十八吋晶圆厂如何将成本摊提到其使用者身上，在短期内是十分难以达成的。」
记忆体在高阶4C电子产品中扮演 极重要角色，现阶段碍于逻辑控制器或处理器 (CPU)间传输频宽不足；对此，CPU须于内部加入大量的快取静态记忆体，以满足大量资料传输应用所需，这使CPU晶粒面积及制造成本剧增。由于十八吋晶圆量产进度延迟，遂有「Heterogeneous Integration」理论与实践，其不同于SOC将逻辑、记忆、类比、射频、高压等功能整合于单一系统晶片做法，而是使用不同种类之逻辑晶粒、记忆体晶粒、类比晶粒、射频晶粒及快闪记忆体晶粒，透过2.5D/3D堆叠完成异质性垂直整合。
宋建迈博士补充：「下一代电子系统欲同时达成高效能与低成本，答案在于SIP异质性整合，缓冲记忆体将朝向客制化，因此应用导向型之缓冲记忆体KGD在未来会大幅成长。钰创科技已在利基型缓冲记忆体上深耕多年且为业界领导厂商，更是世界大厂所应用KGD记忆体设计先峰。应用导向之缓冲3D记忆体开发，减少投入大量成本建造更先进的晶圆厂，不全是倚赖先进的制程，而是倚赖设计技术加上现有晶圆厂之演进技术制造即可成就。」所以，台湾设计公司及晶圆厂之产业架构，利用现有制程演进，即可推出符合成本效益之3D-IC产品。
迈入3D影像技术应用，已推出单颗系统晶片产品及平台解决方案
钰创于今年CES展上，展示三度空间(3D)影像撷取控制器eSP768、3D影像及体感辨识控制器eSP868，这些新产品奠基于其网路摄影控制器上，针对3D萤幕所须推出的单晶片解决方案。其中eSP768控制器具备特殊3D影像撷取技术，支援各种3D显像技术，包括：红蓝式、快门式、偏光式及裸视等，提供充份亮度及不闪烁影像，使消费者舒适地观赏3D图片与影片。而eSP868可做3D影像辩识及3D体感辨识，提供3D安全监控及体验3D体感互动游戏等用途。
钰创科技SiP事业中心总经理吴炳松博士表示：「市面上不少3D影像撷取技术产品，价格昂贵且体积大，难以普及于一般应用环境。钰创eSP768、eSP868控制器，采自力研发单晶片技术，使产品体积大幅缩小且物美价廉。」对目前热门的体感游戏开发商及具备上网能力的SmartTV制造商而言，当3D影像撷取及体感辨识控制器的体积缩小，及取得成本逐渐合理，便能迅速内建于体积更小的笔记型电脑或萤幕上，有助于加速3D影像及体感辨识市场普及。
钰创科技投入3D影像撷取与体感辨识领域已有2年时间，除硬体开发外，还拥有丰富的软体资料库，提供最迅速而完整解决方案，为最佳3D影像技术合作伙伴。吴炳松博士指出：「人类眼睛并非平行、对称，加上撷取装置的生产公差，造成每个人所看之3D效果不尽相同，造成辨识上困扰。钰创所提供的3D影像撷取与体感辨识解决方案，可自动进行影像校正，让3D影像及辨识效果更为精准。」3D撷取影像及3D体感辨识是非常复杂的技术，必须要有足够的资料库，才能满足不同应用程式开发所需，例如运动员的训练，或者时下流行的体感游戏等。
无论从利基型缓冲记忆体解决方案，新一代网路摄影控制器，钰创科技都展现了非常雄厚的产品实力，尤其搭配愈来愈普及的USB3.0主端及装置端控制器，势必能够在先进IC 产品尤其是3D-IC领域中，会有更多创新及创意之产品，为创造公司成长之利器。
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