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2020/10/16

钰创科技于SEMICON成功展示AI-DRAM、3D视觉感测、USB 4.0及Touchless等智慧整合微系统产品与研发,跻身异质整合创新技术行列

钰创科技于SEMICON成功展示AI-DRAM、3D视觉感测、USB 4.0及Touchless等智慧整合微系统产品与研发,跻身异质整合创新技术行列

跻身异质整合创新技术行列,钰创科技甫于SEMICON Taiwan 2020之异质整合创新技术馆成功展出自家的类眼睛、脑筋、神经之智慧整合微系统,例如:用于AI终端之极小型封装的利基型记忆体,用于AR/VR系统之3D深度图摄影机,全球最快速USB4与Thunderbolt 4晶片,可供直播、视讯会议之应用。

关于异质整合,钰创董事长卢超群于2004年取名并在ISSCC发表论文Emerging Era of Heterogeneous Integration,其产品早在2000年即推出KGDM裸晶,也成功打入Intel, Seagate (Heterogeneous Integration,HI)的系列产品,乃为从事异质整合之先锋。于2016年A-SSCC发表论文及proposed HI to IEEE;2018年受邀于IEEE HI Roadmap首次成立大会发表开幕专题演讲。且钰创科技为少数既懂记忆体也懂逻辑IC的设计公司,目前已跨入AI 之LifeSense(生命智慧感测)世代,积极推动产品异质整合落实于AI终端装置(Heterogeneous Integration Enabler for AI Edge)。

钰创科技更提出AI世代所需AI晶片设计的记忆体解决方案,即全世界第一颗用WLCSP封装技术的RPC® DRAM,是当今体积(Form Factor)最小并可以操作于高频宽的微小型DRAM。RPC®最适合用于AI终端装置(End Point),此市场的应用如: 穿戴式装置、移动装置上的微型AI摄影机等,极需微小体积、低成本、低功耗的记忆体支援以执行AI的运算,RPC®为微型AI终端装置的需求而开发创新,堪称是AI 终端记忆体之一。

除了满足终端装置的需求,钰创也往高频宽(DWB: Direct Wide Bus)、低延迟(RAL: Reduced Access and Latency)的记忆体新发明,正在从事未来产品的深层研发中,采用不同于HBM的方式,挑战GDDR5等级10GB/s以上到400GB/s的频宽需求,以满足AI SoC日益增加的运算与资料吞吐,并提供controller + DRAM结合,以客户的需求为出发的一条龙解决方案,开启新的商业模式。

在异质整合时代亦继续耕耘于符合JEDEC利基型DRAM裸晶,正在研发可使DRAM的电路的操作电压从1.5伏特下降至0.7伏特并符合JEDEC标准定义下Retention time的需求。此举可以大大减少标准型DRAM的功耗与翻转电路设计,使DRAM的微缩(scaling)继续延伸至新纪元。

钰创记忆体产品已广泛应用于4C产品及AI 终端装置,钰创科技的专精型DRAM产品512Mb DDR2、512Mb DDR3、1Gb DDR3与2Gb DDR3,已经被智慧音箱等AI终端装置主要厂家采用。而行动式记忆体之开展,钰创科技专注于具备高频宽与低容量特性的产品;目前256Mb LPDDR2产品具有低功耗与32 I/O的规格,不仅适用于4K显示器的控制晶片,也深度整合于360度全场摄影机方案中,支援高解析度的3D立体影像录影,为使用者提供了具体鲜明且身历其境的影像。此外,钰创科技对于闸道器应用,拥有完整的DDR2/DDR3 SDRAM与SPI NAND记忆体方案,借由通过国内外主要通讯晶片厂家平台的验证,供货给主要客户。