美国拉斯维加斯国际消费性电子大展(CES)即将登场! 钰创科技（Etron Technology, Inc.；上柜股票代号：5351）将于CES展会上，发表 (1) 全新最快速四埠(4-Port ) EJ198 USB3.0主端控制晶片(Host Controller)，(2) 全新兼具速度及成本效益的四埠EJ188 USB3.0主端控制晶片，及(3) 全新二通道(2-Channel) eV268 USB3.0快闪记忆碟控制晶片(Flash Drive Controller)。该系列产品皆透过钰创科技自主研发USB3.0之硬体暨软体技术所开发完成，分别能提供系统客户USB3.0主端与装置端(Device)晶片之完整解决方案(Total Solution)，再加强钰创科技在USB3.0应用市场上最先进之IC领导厂商，更提供许多用钰创产品之策略客户取得多方位双赢之成果。
钰创科技全系列USB3.0晶片，将于一月十日至一月十三日美国CES展会上，在USB TechZone专区上展出(摊位号码：30769)；同时，也将于钰创公司位于美国Las Vegas Convention Center, South Hall 4, No. 37031的展示摊位上推出，现场将有动态实体展示及由专家现场解说与洽谈，相关资讯可上网www.etron.com.tw查询。
<创新且独特之两通道PCIe Gen2转四埠USB3.0之SoC单晶片问世>
钰创EJ198 USB3.0主端控制晶片，为PCIe Gen 2至USB3.0之主端控制晶片，符合PCIe Gen 2及USB3.0规范，并支援INTEL正式版的xHCI (eXtensible Host Controller Interface) 1.0介面标准，可确保系统拥有最佳相容性、较低功耗，并展现最优异的性能。由于EJ198拥有两个PCIe Gen2 通道 (PCIe Gen 2 2 Lanes)，支援每通道5Gbps之传输速率，在全双工传输模式运行下，可提供最高达每秒10Gbps的整体传输频宽，大幅领先业界之同类型产品。
<推出Cost/ Performance最佳化之单通道PCIe Gen2转四埠USB3.0之SoC单晶片>
为兼具速度及成本效益，钰创科技同时推出EJ188 USB 3.0主端控制晶片，该产品亦为PCIe Gen 2至USB3.0主端控制晶片，而与EJ198最大的不同点在于，只支援一个PCIe Gen2 通道(PCIe Gen 2 1 Lane)，即便是只使用一个PCIe Gen2 通道，其传输速率也能达每秒传输速率5Gbps，符合USB3.0 5Gbps的理论速度最佳化的需求，目前已获得重要厂商导入使用。在硬体规格上，EJ198及EJ188皆拥有四个USB3.0连接埠，皆可向下相容USB2.0/ 1.1模式；采用88-pin QFN封装，外部尺寸10 10mm2。
<全球最快速二通道之快闪记忆碟控制器SoC单晶片诞生>
在钰创USB 3.0主端产品成为市场主流之同时，该公司也开始推出装置端的新产品，此次发表的是符合快闪记忆碟应用之高效能eV268 USB3.0快闪记忆体控制晶片系列，使用独特的二通道快闪记忆体介面，配合先进的交错技术与32位元RISC微控制器核心，可使USB 3.0快闪记忆碟达到比同类产品更高传输速度与效能，而60位元之纠错能力(ECC)可支援多家快闪记忆体大厂于 3X nm，2X nm及1X nm先进制程之SLC/ MLC/ TLC NAND Flashes。其中支援至8CE的eV268H兼具速度及成本效益的优势，而支援16CE的eV268K在搭配同步式MLC快闪记忆体时，更缔造全球最快读取传输速率，达每秒230 Mega Bytes以上的世界级佳绩，目前已获得主要客户导入使用中。
为了强化在USB3.0市场竞争的优势，钰创科技从主端到装置端陆续推出新产品，期使在USB3.0新世代产品上提出最完整之解决方案以供客户使用。透过SoC平台发展双埠及四埠USB3.0主端控制晶片，包括：EJ168、EJ188、EJ198，皆具备简单便捷的系统整合优势，提供高速度、低成本等多样化选择，是系统厂商快速开发多方位USB3.0产品的最佳IC产品策略合作伙伴。而跨足装置端率先推出eV268 USB3.0快闪记忆碟控制晶片新产品，以先进的Flash高效能储存技术，结合其USB 3.0实体层(PHY) 及控制层(Controller) IP及软体技术优势，透过主端与装置端的无缝整合(Seamless Integration)，能够有效发挥其超高速USB3.0在Flash应用上的最佳产品效能。钰创科技USB3.0之硬体及软体技术所开发完成之单晶片及友善平台，加速客户开发USB3.0主端与装置端多元产品线，共创双赢。